半導体デバイス-フォトダイオード

フォトダイオードは、光にさらされると電流を流すP-N接合ダイオードです。このダイオードは、実際には逆バイアスモードで動作するように設計されています。これは、落下光の強度が大きいほど、逆バイアス電流が大きくなることを意味します。

次の図は、フォトダイオードの回路図記号と構造の詳細を示しています。

フォトダイオードの働き

これは、*逆バイアスダイオード*です。入射光の強度が増加すると、逆電流が増加します。これは、逆電流が落下光の強度に正比例することを意味します。

P型基板にマウントされ、金属ケースに密封されたPN接合で構成されています。接合点は透明なレンズでできており、光が落ちるはずの窓です。

知っているように、PN接合ダイオードに逆バイアスがかかると、非常に少量の逆電流が流れます。逆電流は、ダイオードの空乏領域にある電子と正孔のペアによって熱的に生成されます。

PNジャンクションに光が当たると、ジャンクションによって吸収されます。これにより、より多くの電子正孔対が生成されます。または、特徴的に、逆電流の量が増加すると言うことができます。

つまり、落射光の強度が増加すると、PN接合ダイオードの抵抗が減少します。