半導体デバイス-バイポーラトランジスタ

バイポーラトランジスタは主に、背中合わせに接続された反対のタイプの半導体材料の2つの層で形成されます。シリコンまたはゲルマニウムに添加される不純物の種類によって、形成時に極性が決まります。

NPNトランジスタ

NPNトランジスタは、P型半導体材料の薄層で分離された2つのN型材料で構成されています。 NPNトランジスタの結晶構造と回路図記号を上図に示します。

エミッター、ベース、および*コレクター*として認識される材料の各タイプから取り出される3つのリードがあります。シンボルでは、エミッターの矢印がベースから外側に向けられている場合、デバイスがNPNタイプであることを示しています。

PNPトランジスタは、N型半導体材料の薄層で分離された2つのP型材料で構成されています。 PNPトランジスタの結晶構造と回路図記号を以下に示します。

シンボルでは、エミッタの矢印がベースに向かって内側に向けられている場合、デバイスがPNPタイプであることを示しています。