Electronic-measuring-instruments-passive-transducers

パッシブトランスデューサー

• パッシブトランスデューサー*は、パッシブエレメントの変動を生成するトランスデューサーです。 抵抗、インダクタ、コンデンサなどの受動素子を検討します。 したがって、選択する受動素子に応じて、次の3つの受動トランスデューサーを取得します。

• 抵抗トランスデューサー
• 誘導トランスデューサー
• 容量性トランスデューサ

次に、これら3つのパッシブトランスデューサーについて1つずつ説明します。

抵抗トランスデューサー

パッシブトランスデューサーは、抵抗値の変動（変化）を生成する場合、抵抗トランスデューサー*と呼ばれます。 金属導体の*抵抗、Rの次の式。

R = \ frac \ {\ rho \：l} \ {A}

どこで、

$ \ rho $は導体の抵抗率です

$ l $は導体の長さです

$ A $は導体の断面積です

抵抗値は、3つのパラメーター$ \ rho、l $および$ A $に依存します。 したがって、3つのパラメーター$ \ rho、l $および$ A $のいずれかの変動に基づいて*抵抗トランスデューサー*を作成できます。 これらの3つのパラメーターのいずれかが変動すると、抵抗値が変化します。

• 抵抗、Rは導体の*抵抗率*に直接比例します。 したがって、導体の抵抗率として、$ \ rho $は抵抗値を増加させ、Rも増加させます。 同様に、導体の抵抗率として、$ \ rho $は抵抗値を減少させ、Rも減少します。
• 抵抗、Rは導体の*長さ*、$ l $に正比例します。 したがって、導体の長さである$ l $は抵抗値を増加させ、Rも増加します。 同様に、導体の長さである$ l $は抵抗値を減少させ、Rも減少します。
• 抵抗Rは、導体の*断面積*に反比例します。 したがって、導体の断面積として、$ A $は抵抗値を増加させ、Rは減少します。 同様に、導体の断面積として、$ A $は抵抗値を減少させ、Rは増加します。

誘導トランスデューサー

パッシブトランスデューサーは、インダクタンス値の変動（変化）を生成する場合、誘導トランスデューサー*と呼ばれます。 インダクタの*インダクタンス、Lの次の式。

$ L = \ frac \ {N ^ \ {2}} \ {S} $方程式1

どこで、

$ N $はコイルの巻数です

$ S $はコイルの巻数です

コイルの*リラクタンス*、Sの次式。

$ S = \ frac \ {l} \ {\ mu A} $方程式2

どこで、

$ l $は磁気回路の長さです

$ \ mu $はコアの透過性です

$ A $は、磁束が流れる磁気回路の面積です

式1の式2を代入します。

L = \ frac \ {N ^ \ {2}} \ {\ left（\ frac \ {l} \ {\ mu A} \ right）}

$ \ Rightarrow L = \ frac \ {N ^ \ {2} \ mu A} \ {l} $方程式3

式1と式3から、インダクタンス値は3つのパラメーター$ N、S $＆$ \ mu $に依存すると結論付けることができます。 したがって、3つのパラメータ$ N、S $および$ \ mu $のいずれかの変動に基づいて*誘導トランスデューサ*を作成できます。 なぜなら、これらの3つのパラメーターのいずれかが変動すると、インダクタンス値が変化するためです。

• インダクタンス、Lは*コイルのターン数*の2乗に正比例します。 したがって、コイルの巻数が増えると、$ N $はインダクタンスの値を増加させ、$ L $も増加します。 同様に、コイルの巻数が増えると、$ N $はインダクタンスの値を減少させ、$ L $も減少します。
• インダクタンス、$ L $は*コイルのリラクタンス*、$ S $に反比例します。 したがって、コイルの抵抗として、$ S $はインダクタンスの値を増加させ、$ L $は減少します。 同様に、コイルの抵抗として、$ S $はインダクタンスの値を減少させ、$ L $は増加します。
• インダクタンス、Lは、コアの透過性*、$ \ mu $に正比例します。 したがって、コアの透磁率として、$ \ mu $はインダクタンスの値を増加させ、Lも増加させます。 同様に、コアの透磁率として、$ \ mu $はインダクタンスの値を減少させ、Lも減少します。

容量性トランスデューサ

パッシブトランスデューサーは、静電容量値の変動（変化）を生成する場合、「容量性トランスデューサー」と呼ばれます。 平行平板コンデンサの capacitance 、Cの次の式。

C = \ frac \ {\ varepsilon A} \ {d}

どこで、

$ \ varepsilon $は、誘電率または誘電率です。

$ A $は2つのプレートの有効面積です

$ d $は2つのプレートの有効面積です

静電容量値は、3つのパラメーター$ \ varepsilon、A $および$ d $に依存します。 したがって、3つのパラメーター$ \ varepsilon、A $および$ d $のいずれかの変動に基づいて*容量性トランスデューサー*を作成できます。 なぜなら、これら3つのパラメーターのいずれか1つが変化すると、容量値が変化するためです。

• 静電容量、Cは*誘電率*、$ \ varepsilon $に正比例します。 したがって、誘電率として、$ \ varepsilon $は静電容量の値を増加させ、Cも増加します。 同様に、誘電率として、$ \ varepsilon $は静電容量の値を減少させ、Cも減少します。
• 静電容量Cは、* 2つのプレートの有効面積*、$ A $に正比例します。 したがって、2つのプレートの有効面積として、$ A $は静電容量の値を増加させ、Cも増加します。 同様に、2つのプレートの有効面積として、$ A $は静電容量の値を減少させ、Cも減少します。
• 静電容量Cは、* 2つのプレート間の距離*、$ d $に反比例します。 したがって、2つのプレート間の距離が大きくなると、$ d $は静電容量の値を増加させ、Cは減少します。 同様に、2つのプレート間の距離が大きくなると、$ d $は静電容量の値を小さくし、Cは大きくなります。

この章では、3つのパッシブトランスデューサーについて説明しました。 次の章では、各パッシブトランスデューサの例について説明します。